Số sản phẩm của nhà sản xuất:
TSM60N380CH C5G
Product Overview
Nhà sản xuất:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Số hiệu phần:
TSM60N380CH C5G-DG
Mô tả:
MOSFET N-CH 600V 11A TO251
Mô tả chi tiết:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Hàng tồn kho:
12894509
Yêu cầu báo giá
Số lượng
Tối thiểu 1
Tối thiểu 1
(*) là bắt buộc
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
Chúng tôi sẽ phản hồi bạn trong vòng 24 giờ
GỬI
TSM60N380CH C5G Thông số kỹ thuật
Danh mục
FETs, MOSFETs, FET đơn, MOSFET
Nhà sản xuất
Taiwan Semiconductor
Đóng gói
Tube
Loạt
-
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Xả đến nguồn Voltage (Vdss)
600 V
Dòng điện - Xả liên tục (Id) @ 25 ° C
11A (Tc)
Ổ đĩa Voltage (Bật tối đa, Bật tối thiểu)
10V
Rds On (Tối đa) @ Id, Vgs
380mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (Tối đa)
±30V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
1040 pF @ 100 V
Tính năng FET
-
Tiêu tán điện năng (Tối đa)
125W (Tc)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Loại gắn kết
Through Hole
Gói thiết bị nhà cung cấp
TO-251 (IPAK)
Gói / Trường hợp
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Số sản phẩm cơ sở
TSM60
Tài liệu và Hồ sơ
Bảng dữ liệu
Thông tin bổ sung
Gói tiêu chuẩn
75
Tên khác
TSM60N380CH C5G-DG
TSM60N380CHC5G
Phân loại Môi trường & Xuất khẩu
Trạng thái RoHS
ROHS3 Compliant
Mức độ nhạy cảm với độ ẩm (MSL)
1 (Unlimited)
Trạng thái REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Chứng nhận DIGI
Sản phẩm liên quan
TSM60N900CI C0G
MOSFET N-CH 600V 4.5A ITO220AB
TSM2303CX RFG
MOSFET P-CHANNEL 30V 1.3A SOT23
DMT3009LFVWQ-13
MOSFET N-CH 30V 12A PWRDI3333
